现在全球每天发生的数据量是十分巨大的，估计到2025年将到达175ZB。很多的数据呗存储在大容量的服务器和数据中心里，运用的是HDD和SSD，不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺度上都优于HDD，使得SSD正逐渐替代HDD。SSD单位本钱的扩展归功于三维方向大将存储单元堆叠更多的层数，一起一个存储单元里存储更多的比特数。

  铠侠（Kioxia）宣告，成功演示了国际首个七级单元的3D NAND闪存。现在大规模出产的3D NAND闪存最多是四级单元，也便是我们了解的QLC 3DNAND闪存，这在某种程度上预示着新款3D NAND闪存简直完成了容量上的翻倍。

  早在两年前，铠侠就演示过低温状态下运转的六级单元HLC 3D NAND闪存。这一次铠侠将低温度的环境与新的硅工艺技能相结合，又向前迈进了一步。在七级单元的3D NAND闪存里，传统上存储单元晶体管通道运用的多晶硅被单晶硅所替代，在读取操作中，最多可削减三分之二的NAND闪存读取噪声量，并发生更为明晰的读取信号。

  铠侠表明，新的存储架构将大幅度的下降出产所带来的本钱上，乃至提出了一种将七级单元3D NAND闪存与低温冷却相结合的解决方案，这比现在市场上选用风冷或被迫散热的SSD更为廉价。铠侠还会持续开发低温存储器技能，以完成最低的单位本钱，并在未来经过硅技能完成接连的单位本钱缩放。

  七级单元的3D NAND闪存并不是止境，铠侠过去就曾展望过八级单元的OLC 3D NAND闪存。

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