【48812】斯达半导请求一种复合银膜及其制备办法和硅基GaN芯片烧结办法专利复合银膜能够在整个烧结制程中削减因热胀冷缩构成的芯片应力损害导致的裂纹问题经往后
发布时间： 2024-07-04 来源：开云APP网站
金融界2024年6月25日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，斯达半导体股份有限公司请求一项名为“一种复合银膜及其制备办法和硅基GaN芯片烧结办法“，公开号CN1.3，请求日期为2024年3月。
专利摘要显现，本发明供给一种复合银膜及其制备办法和硅基GaN芯片烧结办法，复合银膜用作硅基GaN芯片烧结的焊料，过程A1，对由纳米银颗粒和微米银颗粒组成的双峰银颗粒做处理后得到双峰银浆，以及对金刚石颗粒通过处理得到含钛金属的改性金刚石浆料；过程A2，将双峰银浆印刷在塑料基板上烘干后得到榜首银膜；过程A3，在榜首银膜上涂布一层改性金刚石浆料，预烘后在涂布的改性金刚石浆料外表印刷一层双峰银浆，烘干后构成榜首银膜‑改性金刚石层‑第二银膜三层夹心结构的复合银膜。复合银膜能够在整个烧结制程中削减因热胀冷缩构成的芯片应力损害导致的裂纹问题，通过烧结后芯片与基板之间接头剪切强度高。